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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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产品系列

650 V SiC MOSFETs

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900 V SiC MOSFET

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1200 V SiC MOSFET

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视频

宽禁带和SiC性能概览

SiC和氮化镓(GaN)是用于高性能电源转换和电机控制的下一代材料。

在服务器和工捕鱼王者、捕鱼大亨、捕鱼达人、深海狩猎、捕鱼高手、最热门火爆的棋牌游戏、中国首款3D棋牌网络游戏、地方棋牌游戏、网络棋牌游戏、同城棋牌游戏电源应用中利用宽禁带

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在混动/电动汽车(HEV/EV)充电桩应用中利用宽禁带

混合动力电动汽车和电动汽车充电桩是宽禁带尤其是碳化硅的主要焦点市场和驱动力之一。

产品资源

SiC MOSFET:门极驱动优化

对于高压开关电源应用,SiC或SiC MOSFET比传统的硅MOSFET和IGBT有明显的优势。

基于物理的、可扩展SPICE建模方法,用于现代电力电子器件

高效的电力电子设计取决于是否有准确和可预测的SPICE模型。 本文提出了创新的物理和可扩展SPICE模型,用于电力电子捕鱼王者、捕鱼大亨、捕鱼达人、深海狩猎、捕鱼高手、最热门火爆的棋牌游戏、中国首款3D棋牌网络游戏、地方棋牌游戏、网络棋牌游戏、同城棋牌游戏的,包括…

氮化镓(GaN)和SiC晶体管的差别

几十年来,硅一直主导晶体管世界。 但这已在逐渐改变。由两种或三种材料制成的化合物捕鱼王者、捕鱼大亨、捕鱼达人、深海狩猎、捕鱼高手、最热门火爆的棋牌游戏、中国首款3D棋牌网络游戏、地方棋牌游戏、网络棋牌游戏、同城棋牌游戏已被开发出来,并提供...

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