Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
安森美捕鱼王者、捕鱼大亨、捕鱼达人、深海狩猎、捕鱼高手、最热门火爆的棋牌游戏、中国首款3D棋牌网络游戏、地方棋牌游戏、网络棋牌游戏、同城棋牌游戏的碳化硅 (SiC) MOSFET阵容设计用于实现快速而强固的设计。SiC MOSFET的介电击穿场强高10倍,电子饱和速度高2倍,能量带隙高3倍,热导率高3倍。 安森美捕鱼王者、捕鱼大亨、捕鱼达人、深海狩猎、捕鱼高手、最热门火爆的棋牌游戏、中国首款3D棋牌网络游戏、地方棋牌游戏、网络棋牌游戏、同城棋牌游戏的所有SiC MOSFET都包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP)的针对汽车和工捕鱼王者、捕鱼大亨、捕鱼达人、深海狩猎、捕鱼高手、最热门火爆的棋牌游戏、中国首款3D棋牌网络游戏、地方棋牌游戏、网络棋牌游戏、同城棋牌游戏应用而设计和认证的选项。 系统优势包括:更低功率损耗,更高功率密度,更高工作频率,更高工作温度,更低EMI,最重要的是更小系统尺寸和成本,从而提高能效。